李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
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王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
关键词:
CdZnTe
,
vertical bridgman method
,
finite element method
,
experimental study
王国庆
,
吴顺华
,
赵玉双
,
张志萍
无机材料学报
建立三维模型,用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟,并由此计算出介质的宏观介电常数εm.发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型.三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实,因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确.得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式:εαm=V1εα1+V2εα2,其中α=(V12+20V1V2+5V22)/11,V1+V2=1,ε1<ε2.该公式与若干文献中的实验结果相吻合.
关键词:
复合介质
,
monte carlo method
,
finite element method
,
mixing rule
刘熙
,
陈博源
,
陈之战
,
宋力昕
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同. 在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响. 实验发现,在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高, 过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降. 同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度. 因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射, 所以空隙率增大会导致其等效热导率增大. 模拟结果表明:60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热, 初期晶体生长速率最大. 模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
关键词:
碳化硅
,
growth rate
,
finite element method
葛军亮
,
程子建
,
程树森
,
郑跃强
,
李积鹏
,
邹明
钢铁研究
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130370
借助于动态显式有限元软件ABAQUS/Explicit,模拟了CSP热轧过程中,板坯厚度方向上不同位置处直径为50μm的Al2O3夹杂物周围孔洞的形成和演变过程.结果表明,对于不同位置处的Al2O3夹杂物,在它们沿轧制方向的前、后部位都形成了孔洞,但前孔洞面积大于后孔洞面积;夹杂物越靠近板坯表面,形成的孔洞越大;热轧过程中,孔洞的演变是一个“愈合—长大—愈合”的动态过程;随着道次的增加,夹杂物前、后孔洞在轧制方向上的投影长度变化与面积变化趋势相一致,而与孔洞尖端夹角的变化趋势恰好相反;孔洞在热轧过程中发生转动,导致前孔洞尖端朝着带钢表面扩展.模拟结果有助于揭示夹杂物周围孔洞与表面缺陷的关系,并为实际生产提供理论指导.
关键词:
热轧
,
夹杂物
,
孔洞
,
显式动力学
,
有限元
张阳军
,
周益春
材料科学与工程学报
本文结合纳米压痕和有限元法确定了横观各向同性ZnO纳米带各方向上的弹性常数.在正向分析过程中,用ABAQUS有限元软件的压电模式大量模拟了纳米带/硅基底体系的压痕实验,得到无量纲方程的具体形式.在反向分析过程中,通过对沉积在硅基底上的ZnO纳米带进行纳米压痕实验,将相关实验数据代入无量纲方程,确定横观各向同性ZnO纳米带各方向上的弹性常数为ET=35GPa,EL=49G Pa和GL=5GPa.
关键词:
ZnO纳米带
,
横观各向同性
,
弹性常数
,
纳米压痕
,
有限元法
刘文胜
,
刘书华
,
龙路平
,
马运柱
,
刘业
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.04.020
采用ANSYS软件对电子束熔炼提纯钨过程中的温度场进行数值模拟,探讨了不同工艺参数(熔炼功率(P)及扫描半径(剐)对熔体温度及熔池形状的影响.采用已模拟的工艺参数,在250 kW电子束设备上进行了提纯钨的实验验证,并用电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)对熔炼钨锭的成分进行分析.结果表明,熔炼功率和扫描半径对熔体温度和熔池形状都有一定的影响.随着熔炼功率的增加,熔体温度线性增加;随着扫描半径增大,熔体最高温度随之增加,但增加速率逐渐减小,最后趋于平衡;熔炼功率和扫描半径的细微变化皆能引起熔池形状和大小的显著变化,当熔炼功率和扫描半径过小(P=110 kW,R=10 mm)时,由于施加温度过低,铸锭熔解困难,无法形成熔池,随着熔炼功率及扫描半径的增大,熔池宽度和深度均有所增加.对模拟结果进行分析得到熔炼提纯钨的最佳条件为P=130 kW,R=15 mm,在此条件下杂质Cd,As,K,Mg,P的脱除率分别为95.0%,90.0%,75.0%,71.4%和71.4%.实验验证表明所建数学模型对电子束熔炼提纯钨具有较好的适应性.
关键词:
电子束熔炼
,
提纯钨
,
有限元
,
温度场
李鹏
,
沈卫平
,
周雏蕾
,
徐士亮
,
王占朋
,
赵晓琳
,
张庆玲
稀有金属
为了缓解钨-低活化钢(W-RAFM)直接连接产生的热应力,加入热膨胀系数介于二者之间的高导热金刚石/铜复合材料作为中间层,并在金刚石/铜两侧辅以CuCrZr箔,达到较高的连接强度.利用超高压力通电短时高效的特点,一次性制备出有金刚石/铜层的W-RAFM模块.ANSYS Workbench的热冲击数值模拟显示,模块可承受1~2 MW/m2的稳态热流冲击.
关键词:
钨
,
低活化钢
,
模块
,
金刚石/铜
,
有限元方法